Gas treatment apparatus
WO2007010887
Art A1
25. Januar 2007
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007010887
- Aktenzeichen
- EP06781169
- Anmeldetag
- 18. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/31C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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