Method for oxide film formation, semiconductor device comprising the oxide film, and process for producing the semiconductor device

WO2007010921 Art A1 25. Januar 2007

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007010921
Aktenzeichen: EP06781239
Anmeldetag: 19. Juli 2006
Veröffentlichung: 25. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/336H01L21/822H01L27/04H01L29/12H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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