Sputtering target, method for manufacturing such sputtering target, and transparent conducting film
WO2007013387
Art A1
1. Februar 2007
Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007013387
- Aktenzeichen
- EP06781472
- Anmeldetag
- 24. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05B33/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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