Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, semiconductor device fabrication method program and semiconductor fabrication device
WO2007013580
Art A1
1. Februar 2007
Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007013580
- Aktenzeichen
- EP06781867
- Anmeldetag
- 28. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01P21/00H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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