Split gate storage device including a horizontal first gate and a vertical second gate in a trench

WO2007014038 Art A2 1. Februar 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007014038
Aktenzeichen: EP06788112
Anmeldetag: 21. Juli 2006
Veröffentlichung: 1. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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