Low-k interlevel dielectric materials and method of forming low-k interlevel dielectric layers and structures

WO2007014882 Art A2 8. Februar 2007

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007014882
Aktenzeichen: EP06777964
Anmeldetag: 25. Juli 2006
Veröffentlichung: 8. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C08L101/12H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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