Method for forming insulating film and insulating film

WO2007015433 Art A1 8. Februar 2007

Anmelder: Taiyo Nippon Sanso Corporation, National Institute for Materials Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007015433
Aktenzeichen: EP06781911
Anmeldetag: 28. Juli 2006
Veröffentlichung: 8. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Taiyo Nippon Sanso Corporation
National Institute for Materials Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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