Tunnel junction sensor with magnetic cladding

WO2007016010 Art A2 8. Februar 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007016010
Aktenzeichen: EP06800250
Anmeldetag: 24. Juli 2006
Veröffentlichung: 8. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11B5/127G11B5/33

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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