Method for forming w-based film, method for forming gate electrode, and method for manufacturing semiconductor device

WO2007018235 Art A1 15. Februar 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007018235
Aktenzeichen: EP06782551
Anmeldetag: 9. August 2006
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285C23C16/16C23C16/42H01L21/28H01L21/8238H01L27/092H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von