Material for insulating film, method of film formation therefrom and insulating film

WO2007018268 Art A1 15. Februar 2007

Anmelder: National Institute for Materials Science, Taiyo Nippon Sanso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007018268
Aktenzeichen
EP06782644
Anmeldetag
10. August 2006
Veröffentlichung
15. Februar 2007
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/316C08G83/00C23C16/42H01L21/312H01L21/314H01L21/768H01L23/522
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
National Institute for Materials Science
Taiyo Nippon Sanso Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

828 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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