Thermal flux laser annealing for ion implantation of semiconductor p-n junctions

WO2007018567 Art A1 15. Februar 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007018567
Aktenzeichen: EP05810342
Anmeldetag: 12. Oktober 2005
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G02B27/09B23K26/073B23K26/06H01L21/00H01L21/04H01S5/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von