Wide And Narrow Trench Formation in High Aspect Ratio Mems

WO2007018813 Art A2 15. Februar 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007018813
Aktenzeichen: EP06785787
Anmeldetag: 28. Juni 2006
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/30H01L21/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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