Stress release mechanism in mems device and method of making same

WO2007018814 Art A2 15. Februar 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007018814
Aktenzeichen: EP06785788
Anmeldetag: 28. Juni 2006
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01G9/00H02N1/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von