Methods of forming cosi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

WO2007018968 Art A1 15. Februar 2007

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007018968
Aktenzeichen: EP06787296
Anmeldetag: 13. Juli 2006
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/283H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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