In-Situ Atomic Layer Deposition

WO2007019449 Art A1 15. Februar 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007019449
Aktenzeichen: EP06800884
Anmeldetag: 4. August 2006
Veröffentlichung: 15. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/448C23C16/455C23C16/40H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von