Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

WO2007020874 Art A1 22. Februar 2007

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007020874
Aktenzeichen: EP06796337
Anmeldetag: 10. August 2006
Veröffentlichung: 22. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/56H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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