Sequential deposition process for forming si-containing films

WO2007021385 Art A2 22. Februar 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007021385
Aktenzeichen: EP06786102
Anmeldetag: 3. Juli 2006
Veröffentlichung: 22. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/00H01L21/20H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von