Low-temperature oxide removal using fluorine

WO2007021403 Art A2 22. Februar 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007021403
Aktenzeichen: EP06800035
Anmeldetag: 13. Juli 2006
Veröffentlichung: 22. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C03C25/68B44C1/22H01L21/302H01L21/461

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von