Etch features with reduced line edge roughness
WO2007021540
Art A2
22. Februar 2007
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007021540
- Aktenzeichen
- EP06789159
- Anmeldetag
- 1. August 2006
- Veröffentlichung
- 22. Februar 2007
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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