Vertical integrated silicon nanowire field effect transistors and methods of fabrication

WO2007022359 Art A2 22. Februar 2007

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007022359
Aktenzeichen: EP06801746
Anmeldetag: 16. August 2006
Veröffentlichung: 22. Februar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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