Semiconductor device, method for manufacturing such semiconductor device and substrate for such semiconductor device
WO2007023743
Art A1
1. März 2007
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007023743
- Aktenzeichen
- EP06796551
- Anmeldetag
- 18. August 2006
- Veröffentlichung
- 1. März 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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