Semiconductor device, method for manufacturing such semiconductor device and substrate for such semiconductor device

WO2007023743 Art A1 1. März 2007

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007023743
Aktenzeichen
EP06796551
Anmeldetag
18. August 2006
Veröffentlichung
1. März 2007
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/52
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
ROHM CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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