Substrate treating device, heating device used therefor, and method of manufacturing semiconductor utilizing the devices

WO2007023855 Art A1 1. März 2007

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc., Teitokusha Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007023855
Aktenzeichen: EP06796665
Anmeldetag: 23. August 2006
Veröffentlichung: 1. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H05B3/06H01L21/205H01L21/22H01L21/324H05B3/64

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Teitokusha Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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