Mosfet and production memthod of semiconductor device

WO2007023979 Art A1 1. März 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007023979
Aktenzeichen: EP06783075
Anmeldetag: 22. August 2006
Veröffentlichung: 1. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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