Method of fabricating a p-i-n light emitting diode using cu-doped p-type zno

WO2007024041 Art A1 1. März 2007

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007024041
Aktenzeichen: EP05822159
Anmeldetag: 9. Dezember 2005
Veröffentlichung: 1. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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