Crack-Free Iii-V Epitaxy On Germanium On Insulator (goi) Substrates

WO2007024469 Art A2 1. März 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007024469
Aktenzeichen: EP06789559
Anmeldetag: 8. August 2006
Veröffentlichung: 1. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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