Nitrogen Profile Engineering in High-K Nitridation Of A Gate Dielectric Layer

WO2007024493 Art A1 1. März 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007024493
Aktenzeichen: EP06789656
Anmeldetag: 10. August 2006
Veröffentlichung: 1. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314H01L21/316C23C16/40H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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