Semiconductor structure with n-type region codoped with group i or ii elements
WO2007025392
Art A1
8. März 2007
Anmelder: ETH Zurich 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007025392
- Aktenzeichen
- EP05773776
- Anmeldetag
- 1. September 2005
- Veröffentlichung
- 8. März 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265H01L29/78H01L21/324H01L21/268
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ETH Zurich
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
ETH Zürich
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich, Schweizer Hochschule mit Forschungsschwerpunkten in Natur-, Ingenieur- und Materialwissenschaften.
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