Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

WO2007025565 Art A1 8. März 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007025565
Aktenzeichen: EP05790348
Anmeldetag: 1. September 2005
Veröffentlichung: 8. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C08G77/60C08L83/16C04B35/14H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

🇳🇱 Philips

Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.

43.499 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

Vertreten von