Variable resistance element and method for producing same

WO2007026509 Art A1 8. März 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007026509
Aktenzeichen: EP06782475
Anmeldetag: 8. August 2006
Veröffentlichung: 8. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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