Semiconductor Device Having A Metal Gate Electrode Formed On an Annealed High-K Gate Dielectric Layer

WO2007027355 Art A1 8. März 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007027355
Aktenzeichen: EP06789256
Anmeldetag: 3. August 2006
Veröffentlichung: 8. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/49H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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