Semiconductor Structure

WO2007029482 Art A1 15. März 2007

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007029482
Aktenzeichen: EP06782856
Anmeldetag: 22. August 2006
Veröffentlichung: 15. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C16/40H01L21/285H01L21/8247H01L27/115H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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