Process for producing hexagonal nitride single crystal, hexagonal nitride semiconductor crystal, and process for producing hexagonal nitride single-crystal wafer

WO2007029655 Art A1 15. März 2007

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007029655
Aktenzeichen: EP06797397
Anmeldetag: 4. September 2006
Veröffentlichung: 15. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B9/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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