Method for formation of pzt-type dielectric layer suitable for built-in capacitor circuit in printed wiring board
WO2007029789
Art A1
15. März 2007
Anmelder: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007029789
- Aktenzeichen
- EP06821801
- Anmeldetag
- 7. September 2006
- Veröffentlichung
- 15. März 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C04B35/491H01B3/12H01G4/12H05K3/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsui Mining & Smelting
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.
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Vertreten von
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