Phase-change memory device using sb-se metal alloy and method of fabricating the same

WO2007029938 Art A1 15. März 2007

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007029938
Aktenzeichen: EP06783759
Anmeldetag: 30. August 2006
Veröffentlichung: 15. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von