Strain Compensated High Electron Mobility Transistor

WO2007030316 Art A2 15. März 2007

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007030316
Aktenzeichen: EP06802073
Anmeldetag: 23. August 2006
Veröffentlichung: 15. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/20H01L29/778H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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