Selectivity etch of films with high dielectric constant with h2 addition

WO2007030522 Art A2 15. März 2007

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007030522
Aktenzeichen: EP06814222
Anmeldetag: 6. September 2006
Veröffentlichung: 15. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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