Integration of a mim capacitor over a metal gate or silicide with high-k dielectric materials

WO2007031395 Art A1 22. März 2007

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007031395
Aktenzeichen: EP06793014
Anmeldetag: 25. August 2006
Veröffentlichung: 22. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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