Method for manufacture of dielectric film having abox type of perovskite-type crystalline structure

WO2007032193 Art A1 22. März 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, Octec Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007032193
Aktenzeichen: EP06796743
Anmeldetag: 24. August 2006
Veröffentlichung: 22. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/46H01B19/00H01G4/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
Octec Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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