Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

WO2007032897 Art A2 22. März 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007032897
Aktenzeichen: EP06813832
Anmeldetag: 29. August 2006
Veröffentlichung: 22. März 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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