Electronic device with a gate electrode having at least two portions and a process for forming the electronic device

WO2007037929 Art A2 5. April 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007037929
Aktenzeichen: EP06814244
Anmeldetag: 6. September 2006
Veröffentlichung: 5. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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