Spin-dependent tunnelling cell and method of formation thereof

WO2007038971 Art A1 12. April 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, STMicroelectronics (Crolles 2) SAS 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007038971
Aktenzeichen: EP05799719
Anmeldetag: 20. September 2005
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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