Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2007040110
Art A1
12. April 2007
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007040110
- Aktenzeichen
- EP06810629
- Anmeldetag
- 27. September 2006
- Veröffentlichung
- 12. April 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L21/304H01L21/3065H05H1/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.