Field Effect Transistor

WO2007040160 Art A1 12. April 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007040160
Aktenzeichen: EP06798429
Anmeldetag: 28. September 2006
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/80H01L21/338H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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