Method for integrating a ruthenium layer with bulk copper in copper metallization

WO2007040704 Art A1 12. April 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007040704
Aktenzeichen: EP06786740
Anmeldetag: 10. Juli 2006
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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