Method and system for etching silicon oxide and silicon nitride with high selectivity relative to silicon

WO2007040716 Art A2 12. April 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007040716
Aktenzeichen: EP06787546
Anmeldetag: 14. Juli 2006
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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