Process and system for etching doped silicon

WO2007040717 Art A2 12. April 2007

Anmelder: Tokyo Electron Limited (TEL), International Business Machines Corporation, International Business Machines Corporation IBM 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007040717
Aktenzeichen: EP06787547
Anmeldetag: 14. Juli 2006
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00G05B21/00H01L21/306B44C1/22

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited (TEL)
International Business Machines Corporation
International Business Machines Corporation IBM
Land: 🇯🇵 Japan

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.049 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Steuerungs- & Regelungstechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von