Process and system for etching doped silicon using sf6-based chemistry

WO2007040752 Art A2 12. April 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007040752
Aktenzeichen: EP06788708
Anmeldetag: 27. Juli 2006
Veröffentlichung: 12. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00G05B21/00H01L21/302H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Steuerungs- & Regelungstechnik

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