Magnetic Tunnel Junction Temperature Sensors

WO2007041007 Art A2 12. April 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007041007
Aktenzeichen
EP06815104
Anmeldetag
20. September 2006
Veröffentlichung
12. April 2007
Rechtsraum
WO
IPC
G11B5/33
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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