Ferroelectric memory, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device

WO2007043128 Art A1 19. April 2007

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007043128
Aktenzeichen: EP05788080
Anmeldetag: 3. Oktober 2005
Veröffentlichung: 19. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105H01L21/822H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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