Nand-Type Flash Memory Preventing Disturbance
WO2007043136
Art A1
19. April 2007
Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007043136
- Aktenzeichen
- EP05790178
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 19. April 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/02G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Technology Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Technology
Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
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